氢能冶金具体流程图片***____氢气冶金

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本文目录一览：

• 1、在金属冶炼时为什么要检验氢气的纯度
• 2、单晶硅,多晶硅生产流程。
• 3、粉末冶金零件电镀工艺流程?

在金属冶炼时为什么要检验氢气的纯度

1、气体有爆炸极限的，很浓不会爆炸，很淡不会爆炸。

2、%时，如果不验纯，就不知道集气瓶内有没有掺杂的氧气，就容易爆炸。

3、验纯：在点燃氢气前，必须进行验纯操作，以确保氢气的纯度足够，以防止爆炸。选用合适的引燃剂：氢气容易点燃，但是为了确保点燃的可靠性，应该使用合适的引燃剂。例如，电火花、火柴、电弧等都可以作为引燃剂。

单晶硅,多晶硅生产流程。

先在多晶硅基片上制备掩模板，然后进行区域熔融，在熔融区做种晶，未熔区域的单晶向熔区生长，充分复用硅原料。 带籽法 在精炼的硅熔体中先引入取向的纳米级硅晶核，然后降温使单晶在种晶上缓慢生长。

加料：将多晶硅原料及杂质放入石英坩埚内，杂质的种类依电阻的N或P型而定。杂质种类有硼，磷，锑，砷。

硅的制取顺序是：二氧化硅矿石--〉工业硅--〉多晶硅--〉单晶硅。单晶硅是用多晶硅经单晶炉拉制而成的，也有用区熔法制取单晶硅的。但是区熔单晶硅的位错密度较大。所以半导体器件多用拉制的单晶硅作原始材料。

硅片的制作通常包括以下主要工艺流程： 单晶硅生长：通过化学气相沉积（CVD）或单晶硅浮区法等方法，在高温下将硅材料以单晶形式生长出来。这一步骤产生的单晶硅块被称为硅锭。

高纯硅的制备化学方程式：SiO2+C=Si+2CO，Si+2Cl2=SiCl4，SiCl4+2H2=Si+4HCl，反应条件都是：高温。高纯硅的制备一般首先由硅石（SiO2）制得工业硅（粗硅），再制成高纯的多晶硅，最后拉制成半导体材料硅单晶。

粉末冶金零件电镀工艺流程?

1、第一步：烘烤去油 将粉末冶金零件在200～300℃的烘箱中进行加热，使孔隙中的油挥发干净，时间以零件不冒烟为准，大约为1～2h。第二步：封孔 在熔融的硬脂酸锌（135～180℃）中浸蚀15～20min。

2、一：粉末冶金工艺基本工序流程 第1步：原料制备成金属粉末 通过氧化物还原和机械法将原料制备成金属粉末的一个步骤。

3、电镀工艺的基本流程就是磨光→抛光→上挂→脱脂除油→水洗→电解抛光或化学抛光→酸洗活化→预镀→电镀→水洗→后处理→水洗→干燥→下挂→检验包装。

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